onsemi 1 N-Kanal Dual N, MOSFET, 38 A 60 V Forbedring, 12 Ben, WQFN, NTTF
- RS-varenummer:
- 202-5721
- Producentens varenummer:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 279,30
(ekskl. moms)
Kr. 349,125
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 11,172 | Kr. 279,30 |
| 100 - 225 | Kr. 9,628 | Kr. 240,70 |
| 250 + | Kr. 8,348 | Kr. 208,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5721
- Producentens varenummer:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NTTF | |
| Emballagetype | WQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.79V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dual N | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NTTF | ||
Emballagetype WQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.79V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Transistorkonfiguration Dual N | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.3mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor symmetrisk dobbelt N-kanal MOSFET indeholder to specialiserede N-kanal MOSFET'er i et dobbelt hus. Switchnoden er blevet tilsluttet internt for at muliggøre nem placering og føring af synkrone buck-konvertere. Den bruges i computere, kommunikation, allround Point of Load-applikationer.
Emballage med lav selvinduktion
Lavere skiftetab
I overensstemmelse med RoHS