Vishay N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR104LDP
- RS-varenummer:
- 204-7222P
- Producentens varenummer:
- SiR104LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Få rabat ved storkøb
Tilføj 200 flere for at gemme Kr. 477,80
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.124,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.405,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. december 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 180 | Kr. 11,246 | - |
| 200 - 480 | Kr. 8,857 | Kr. 477,80 |
| 500 - 980 | Kr. 8,071 | Kr. 1.587,50 |
| 1000 + | Kr. 7,869 | Kr. 3.377,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7222P
- Producentens varenummer:
- SiR104LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR104LDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.12mm | |
| Højde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR104LDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.12mm | ||
Højde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
100 % Rg og UIS-testet