Vishay N-Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJA81EP
- RS-varenummer:
- 204-7240
- Producentens varenummer:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 310,50
(ekskl. moms)
Kr. 388,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 15,525 | Kr. 310,50 |
| 40 - 80 | Kr. 12,417 | Kr. 248,34 |
| 100 - 180 | Kr. 10,865 | Kr. 217,30 |
| 200 - 480 | Kr. 9,002 | Kr. 180,04 |
| 500 + | Kr. 8,378 | Kr. 167,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7240
- Producentens varenummer:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 4.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SQJA81EP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 4.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Automotive P-kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET er AEC-Q101-kvalificeret.
100 % Rg og UIS-testet
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, SQJA81EP
- Vishay N-Kanal 72 A 80 V Forbedring SO-8, SQJA78EP AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 46 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C10N
- Vishay N-Kanal 266 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ140EP
- Vishay N-Kanal 330 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ138EP
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal 504 A 40 V Forbedring SO-8SW, SQRS140ELP