Vishay N-Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ140EP
- RS-varenummer:
- 210-5031
- Producentens varenummer:
- SQJ140EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 102,78
(ekskl. moms)
Kr. 128,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,278 | Kr. 102,78 |
| 100 - 240 | Kr. 9,784 | Kr. 97,84 |
| 250 - 490 | Kr. 8,213 | Kr. 82,13 |
| 500 - 990 | Kr. 7,196 | Kr. 71,96 |
| 1000 + | Kr. 5,64 | Kr. 56,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5031
- Producentens varenummer:
- SQJ140EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 266A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQJ140EP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 266A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQJ140EP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.26mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 266 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 266 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ140EP
- Vishay N-Kanal 266 A 40 V Forbedring PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 330 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ138EP
- Vishay N-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, SQJA81EP
- Vishay 2 N-Kanal 504 A 40 V Forbedring SO-8SW, SQRS140ELP
- Vishay 2 N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8L, SQJ740EP
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 20.7 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101