DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN10 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0073
- Producentens varenummer:
- DMN10H170SFGQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 139,125
(ekskl. moms)
Kr. 173,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 5,565 | Kr. 139,13 |
| 50 - 75 | Kr. 5,454 | Kr. 136,35 |
| 100 - 225 | Kr. 4,769 | Kr. 119,23 |
| 250 - 975 | Kr. 4,638 | Kr. 115,95 |
| 1000 + | Kr. 4,527 | Kr. 113,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0073
- Producentens varenummer:
- DMN10H170SFGQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Serie | DMN10 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 133mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 3.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Serie DMN10 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 133mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 3.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 100 V komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til anvendelse i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP, og er ideel til brug i motorstyring og strømstyringsfunktion.
Lav RDS(ON) – sikrer, at tab af tilstand minimeres
Kompakt termisk effektivt hus med lille formfaktor
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.7 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN10 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring PowerDI3333, DMG7430 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerDI3333, DMT35M4LFVW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN10H220LFVW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 24 A 40 V Forbedring PowerDI3333, DMTH43 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 45.4 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMTH69 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.5 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN10H220LDV AEC-Q101