DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMN3731 AEC-Q101 DMN3731U-7
- RS-varenummer:
- 206-0086
- Producentens varenummer:
- DMN3731U-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 831,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.038,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,277 | Kr. 831,00 |
| 9000 - 42000 | Kr. 0,266 | Kr. 798,00 |
| 45000 + | Kr. 0,26 | Kr. 780,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0086
- Producentens varenummer:
- DMN3731U-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 900mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMN3731 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 730mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.4W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.8 mm | |
| Længde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMN3731 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 730mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.4W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.8 mm | ||
Længde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30V N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydeevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 8 V med 0,4 W termisk effekttab.
Lav VGS(TH), kan drives direkte fra et batteri
ESD-beskyttet låge
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 30 V SOT-23, DMN3731 DMN3731U-7
- DiodesZetex P-Kanal 900 mA 20 V SOT-23 ZXM61P02FTA
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V SOT-323, DMN DMN2710UW-7
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V SOT-323, DMN DMN2710UWQ-7
- DiodesZetex P-Kanal 580 mA 30 V, SOT-23 DMP31D7LQ-7
- onsemi P-Kanal 900 mA 30 V SOT-23 NDS352AP
- Infineon P-Kanal 900 mA 100 V SOT-23 BSS169H6327XTSA1
- DiodesZetex DRDC3105F-7 500 mA 3 Ben, SOT-23