DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, DMN62 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0092
- Producentens varenummer:
- DMN62D0UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.443,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.803,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,481 | Kr. 1.443,00 |
| 9000 - 21000 | Kr. 0,468 | Kr. 1.404,00 |
| 24000 - 42000 | Kr. 0,456 | Kr. 1.368,00 |
| 45000 + | Kr. 0,445 | Kr. 1.335,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0092
- Producentens varenummer:
- DMN62D0UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 400mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | DMN62 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie DMN62 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Længde 2mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til anvendelse i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP, og er ideel til brug i motorstyring og baggrundsbelysning.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 400 mA 60 V Forbedring SOT-323, DMN62 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 380 mA 30 V Forbedring SOT-323, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 900 mA 20 V Forbedring SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 950 mA 20 V Forbedring SOT-323, DMG1012UWQ AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 600 mA 20 V Forbedring SOT-323 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.6 A 30 V Forbedring SOT-323, DMN3060LWQ AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-323, DMN3061SW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.6 A 30 V Forbedring SOT-323, DMN3060LW AEC-Q101
