DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 98 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6006
- RS-varenummer:
- 206-0150
- Producentens varenummer:
- DMT6006SPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 207,65
(ekskl. moms)
Kr. 259,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 8,306 | Kr. 207,65 |
| 50 - 75 | Kr. 8,147 | Kr. 203,68 |
| 100 - 225 | Kr. 7,091 | Kr. 177,28 |
| 250 - 975 | Kr. 6,918 | Kr. 172,95 |
| 1000 + | Kr. 6,744 | Kr. 168,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0150
- Producentens varenummer:
- DMT6006SPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 98A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT6006 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.45W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 98A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMT6006 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.45W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V, 8-benet N-kanal forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men alligevel opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,45 W termisk effekttab.
Lav RDS(ON) – sikrer, at tab i tilstanden minimeres
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 98 A 60 V Forbedring PowerDI5060, DMT6006
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Kanal 215 A 60 V Forbedring PowerDI5060, DMTH61M8SPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 205 A 60 V Forbedring PowerDI5060, DMT61M8SPS
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring PowerDI5060, DMTH84M1SPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 91 A 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10H4M6SPS
- DiodesZetex Type N-Kanal 20.1 kA 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10