DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10
- RS-varenummer:
- 206-0159
- Producentens varenummer:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 82,65
(ekskl. moms)
Kr. 103,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.965 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,53 | Kr. 82,65 |
| 50 - 95 | Kr. 14,542 | Kr. 72,71 |
| 100 - 245 | Kr. 14,168 | Kr. 70,84 |
| 250 - 995 | Kr. 13,808 | Kr. 69,04 |
| 1000 + | Kr. 13,45 | Kr. 67,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0159
- Producentens varenummer:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20.1kA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20.1kA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 100V, 8-benet N-kanal forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men alligevel opretholde fremragende skifteevne. Denne enhed er ideel til brug i notebook-batteristrømstyring og belastningsafbryder. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,7 W termisk effekttab.
Lav modstand ved tændt
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 20.1 kA 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring PowerDI5060, DMTH84M1SPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 215 A 60 V Forbedring PowerDI5060, DMTH61M8SPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 91 A 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PowerDI5060, DMTH10H4M6SPS
- DiodesZetex Type N-Kanal 61 A 150 V Forbedring PowerDI5060, DMTH15H017SPS
- DiodesZetex Type N-Kanal 205 A 60 V Forbedring PowerDI5060, DMT61M8SPS