DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10 Nej DMTH10H4M5LPS-13

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 59,35

(ekskl. moms)

Kr. 74,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.965 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,87Kr. 59,35
50 - 95Kr. 10,434Kr. 52,17
100 - 245Kr. 10,184Kr. 50,92
250 - 995Kr. 9,912Kr. 49,56
1000 +Kr. 9,65Kr. 48,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-0159
Producentens varenummer:
DMTH10H4M5LPS-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20.1kA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

DMTH10

Emballagetype

PowerDI5060

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.7W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.15mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.9mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 100V, 8-benet N-kanal forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men alligevel opretholde fremragende skifteevne. Denne enhed er ideel til brug i notebook-batteristrømstyring og belastningsafbryder. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,7 W termisk effekttab.

Lav modstand ved tændt

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links