DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 45.4 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH69 AEC-Q101 DMTH69M8LFVWQ-7
- RS-varenummer:
- 206-0168
- Producentens varenummer:
- DMTH69M8LFVWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 81,675
(ekskl. moms)
Kr. 102,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,267 | Kr. 81,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0168
- Producentens varenummer:
- DMTH69M8LFVWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMTH69 | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 3.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.2 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMTH69 | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33.6nC | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 3.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.2 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V, 8-benet N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til anvendelse i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP, og er ideel til brug i motorstyring og DC til DC-konverter. Dens gate-source-spænding er 16 V med 3,67 W termisk effekttab.
Lav RDS(ON) – sikrer, at tab i tilstanden minimeres
Normeret til + 175 °C, ideel til omgivelser med høje omgivelsestemperaturer
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 15 45 8 ben DMTH69 DMTH69M8LFVWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 15 49 8 ben DMT47 DMT47M2SFVWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 15 49 8 ben DMT47 DMT47M2SFVW-7
- DiodesZetex N-Kanal 60 A 60 V PowerDI3333-8 DMT6008LFG-7
- DiodesZetex N-Kanal 41 A 60 V PowerDI3333 - 8 DMTH6016LFVWQ-7-A
- DiodesZetex N-Kanal 4 A 60 V PowerDI3333-8 DMN6069SFVW-7
- DiodesZetex N-Kanal 31 8 ben DMT DMT6015LFVW-7
- DiodesZetex N-Kanal 60 A 30 V PowerDI3333-8, DMT35M4LFVW DMT35M4LFVW-7
