STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STO67N60DM6

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 86,77

(ekskl. moms)

Kr. 108,462

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 43,385Kr. 86,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-8631
Producentens varenummer:
STO67N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

STO67N60DM6

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

59mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

11.48mm

Bredde

9.8 mm

Højde

2.2mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige gendannelsesdioder. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav gendannelseshastighed (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Fremragende skifteevne takket være det ekstra drivkildestift

Relaterede links