STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STO67N60DM6

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-8631P
Producentens varenummer:
STO67N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

STO67N60DM6

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

59mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.8 mm

Længde

11.48mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige gendannelsesdioder. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav gendannelseshastighed (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Fremragende skifteevne takket være det ekstra drivkildestift