Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- RS-varenummer:
- 208-8485
- Producentens varenummer:
- CSD19531Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,83
(ekskl. moms)
Kr. 78,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.235 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 |
| 50 - 95 | Kr. 10,718 | Kr. 53,59 |
| 100 - 245 | Kr. 8,356 | Kr. 41,78 |
| 250 + | Kr. 8,106 | Kr. 40,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 208-8485
- Producentens varenummer:
- CSD19531Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.9mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.9mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
-
-
Relaterede links
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 16 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 50 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments 1 Type N MOSFET 8 Ben NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 3 A 30 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type P-Kanal 76 A 20 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring VSONP