Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Forbedring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- RS-varenummer:
- 208-8487
- Producentens varenummer:
- CSD19534Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 44,13
(ekskl. moms)
Kr. 55,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 7.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,413 | Kr. 44,13 |
| 50 - 90 | Kr. 4,323 | Kr. 43,23 |
| 100 - 240 | Kr. 3,508 | Kr. 35,08 |
| 250 - 990 | Kr. 3,418 | Kr. 34,18 |
| 1000 + | Kr. 3,329 | Kr. 33,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 208-8487
- Producentens varenummer:
- CSD19534Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | NexFET | |
| Emballagetype | VSONP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 5.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie NexFET | ||
Emballagetype VSONP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 5.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
-
-
Relaterede links
- Texas Instruments Type N-Kanal 50 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 16 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 3 A 30 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments 1 Type N MOSFET 8 Ben NexFET
- Texas Instruments Type P-Kanal 76 A 20 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring VSONP
