STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 907,30

(ekskl. moms)

Kr. 1.134,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 18,146
125 +Kr. 14,886

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-8742P
Producentens varenummer:
STD15N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

338mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af Mesh DM6-serien med hurtig genoprettelse. Sammenlignet med den tidligere Mesh fast generation, kombinerer DM6 meget lav gendannelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseskiftkonvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.