DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT35M4LFVW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 213-9206
- Producentens varenummer:
- DMT35M4LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 91,525
(ekskl. moms)
Kr. 114,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.975 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,661 | Kr. 91,53 |
| 50 - 75 | Kr. 3,588 | Kr. 89,70 |
| 100 - 225 | Kr. 3,202 | Kr. 80,05 |
| 250 - 975 | Kr. 3,142 | Kr. 78,55 |
| 1000 + | Kr. 2,567 | Kr. 64,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9206
- Producentens varenummer:
- DMT35M4LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMT35M4LFVW | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.85mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMT35M4LFVW | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.85mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMT35M4LFVW serien er N-kanal MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden, opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
100 % udspændt induktiv omskiftning
Test i produktionen – sikrer en mere pålidelig og robust ende program
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerDI3333, DMT35M4LFVW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 45.4 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMTH69 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 41 A 60 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring PowerDI3333-8, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN10H220LFVW AEC-Q101
