Infineon N-Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 462,25

(ekskl. moms)

Kr. 577,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 9,245Kr. 462,25
100 - 200Kr. 7,396Kr. 369,80
250 - 450Kr. 7,027Kr. 351,35
500 - 950Kr. 6,657Kr. 332,85
1000 +Kr. 6,38Kr. 319,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4356
Producentens varenummer:
IPA80R450P7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

450mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

29W

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.68mm

Højde

4.85mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

16.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 800 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 800 V drain source-spænding, 11 A kontinuerlig drain-strøm - IPA80R450P7XKSA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til strømkonvertering og industrielle anvendelser. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til montering gennem hul i konventionelle strømsamlinger, hvilket giver en robust mulighed, hvor der kræves høj spændingshåndtering og moderat strømkapacitet.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 11 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 450 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab i effekttrin
• 24 nC typisk gate-ladning giver mulighed for effektiv omskiftning
• 29 W maks. effekttab håndterer høj termisk belastning
• 30 V gate-tolerance muliggør fleksible gate-drive-amplituder

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle motordrev-frontender
• Anvendes sammen med switch-mode-strømsystemer inden for energi
• Kan bruges til omskiftning på linjesiden i boosterkredsløb
• Velegnet til laboratorie- og prototypesamlinger med gennemgående huller

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?


Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C og understøtter drift i både lav- og højtemperaturomgivelser.

Hvordan er den pakket til montering og køling?


Den leveres i en TO-220-pakke, der er beregnet til montering gennem hul, hvilket giver mulighed for tilslutning til kølelegemer eller chassis til termisk styring.

Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?


Den maksimale gate-source-spænding er 30 V, og den typiske samlede gate-opladning er 24 nC, så valg af driver skal balancere spændingsspænding og drevstyrke for at opnå den ønskede skiftehastighed.

Hvordan påvirker dens ledningsmodstand designet?


Med en maksimal drain-source-modstand ved tænding på 450 mΩ bør designere tage hensyn til ledningstab ved forventede strømme og størrelsen af køleelementet i overensstemmelse hermed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.