Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4420
- Producentens varenummer:
- IPP80R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 128,96
(ekskl. moms)
Kr. 161,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 25,792 | Kr. 128,96 |
| 25 - 45 | Kr. 23,232 | Kr. 116,16 |
| 50 - 120 | Kr. 21,692 | Kr. 108,46 |
| 125 - 245 | Kr. 20,39 | Kr. 101,95 |
| 250 + | Kr. 18,85 | Kr. 94,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4420
- Producentens varenummer:
- IPP80R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 101W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bredde | 15.93mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 101W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Bredde 15.93mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon 800V Cool MOS P7 super-junction MOSFET-serie er perfekt til SMPS-anvendelser med lavt strømforbrug ved fuldt ud at imødekomme markedets behov for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelse forhold. Den fokuserer primært på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm.
Den har en fuldt optimeret portefølje
Den har lavere monteringsomkostninger
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 11 A 800 V N TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7