Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4419
- Producentens varenummer:
- IPP80R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 682,20
(ekskl. moms)
Kr. 852,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 500 enhed(er) afsendes fra 13. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 13,644 | Kr. 682,20 |
| 100 - 200 | Kr. 12,961 | Kr. 648,05 |
| 250 + | Kr. 12,689 | Kr. 634,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4419
- Producentens varenummer:
- IPP80R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 101W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 101W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon 800V Cool MOS P7 super-junction MOSFET-serie er perfekt til SMPS-anvendelser med lavt strømforbrug ved fuldt ud at imødekomme markedets behov for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelse forhold. Den fokuserer primært på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm.
Den har en fuldt optimeret portefølje
Den har lavere monteringsomkostninger
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V N TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, 800V CoolMOS P7