Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 10.077,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.596,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 10,077Kr. 10.077,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4367
Producentens varenummer:
IPB60R120P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Effektafsættelse maks. Pd

95W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.5mm

Længde

10.02mm

Bredde

9.27 mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon 600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.

Den har en robust husdiode

Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden

Relaterede links