Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.143,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.429,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,143Kr. 9.143,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4367
Producentens varenummer:
IPB60R120P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

95W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.5mm

Længde

10.02mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon 600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.

Den har en robust husdiode

Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.