Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4371
- Producentens varenummer:
- IPB60R360P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 4.798,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.998,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 4,798 | Kr. 4.798,00 |
| 2000 + | Kr. 4,572 | Kr. 4.572,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4371
- Producentens varenummer:
- IPB60R360P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.27mm | |
| Længde | 10.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.27mm | ||
Længde 10.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V drain source-spænding, 9 A kontinuerlig drain-strøm - IPB60R360P7ATMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i industrielle kraftsystemer. Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering og er beregnet til anvendelser, der kræver robust portstyring og betydelig håndtering af afløbsstrøm inden for høje temperaturområder.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 9 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 360 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 41 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under drift
• 13 nC typisk gate-ladning muliggør effektive gate-drivende overgange
• 20 V maksimal gate-source-tolerance tillader almindelige gate-drivspændinger
• 9 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 360 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 41 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under drift
• 13 nC typisk gate-ladning muliggør effektive gate-drivende overgange
• 20 V maksimal gate-source-tolerance tillader almindelige gate-drivspændinger
Anvendelser
• Anvendes til koblingstrin for højspændingsstrømforsyning
• Velegnet til industrielle AC/DC-konverteringsmoduler
• Ideel til implementeringer af synkron ensretning på sekundærsiden
• Kan bruges til højspændings motordrev hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder, der kræver strømenheder med tre terminaler
• Velegnet til industrielle AC/DC-konverteringsmoduler
• Ideel til implementeringer af synkron ensretning på sekundærsiden
• Kan bruges til højspændings motordrev hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder, der kræver strømenheder med tre terminaler
Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?
Den fungerer i et område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den til kortintegration?
Den leveres i en TO-263-pakke, der er designet til overflademontering for at lette termisk kontakt og automatiseret samling.
Hvordan håndterer enheden krav til gate-driver til hurtig omskiftning?
Med en typisk gate-ladning på 13 nC og en 20 V gate-source-grænse understøtter den hurtig omskiftning, mens den bruger almindelige gate-driver-spændinger.
Hvilken polaritet og styringstilstand anvender transistoren?
Det er en enhed af N-typen med forstærkning tilstand, der er velegnet til switchingtopologier med lav side og høj side.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 26 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 10 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7