Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4417
- Producentens varenummer:
- IPP60R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 449,55
(ekskl. moms)
Kr. 561,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,991 | Kr. 449,55 |
| 100 - 200 | Kr. 7,191 | Kr. 359,55 |
| 250 - 450 | Kr. 6,832 | Kr. 341,60 |
| 500 - 950 | Kr. 6,473 | Kr. 323,65 |
| 1000 + | Kr. 6,204 | Kr. 310,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4417
- Producentens varenummer:
- IPP60R280P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 72W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Bredde | 15.93mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 72W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Bredde 15.93mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 10 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7