Infineon N-Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 214-4414
Producentens varenummer:: IPP60R060P7XKSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 223,95

(ekskl. moms)

Kr. 279,95

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

485 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 44,79	Kr. 223,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4414
Producentens varenummer:: IPP60R060P7XKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	48A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	600V CoolMOS P7
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	60mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	67nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	164W
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	15.93mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	10.2mm
	Højde	4.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-220
	Serie 600V CoolMOS P7
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 60mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 164W
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 15.93mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 10.2mm
	Højde 4.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPP60R060P7XKSA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 48 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPP60R060P7XKSA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til effektkonvertering og koblingsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til montering gennem hul i et TO-220-format, hvilket giver en kompakt, brugbar løsning til teknikere, der har brug for en robust enhed til højspændingskredsløb.

Egenskaber og fordele:

• 600 V mærkeværdi, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 48 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter håndtering af kraftig belastning
• 164 W maks. effekttab til drift med høj effekt
• 60 mΩ maksimal RDS(on), hvilket giver lave ledningstab
• 67 nC typisk gate-ladning, der giver forudsigelige drevkrav
• 20 V maks. gate-source-spænding, der passer til standard gate-drivere

Anvendelser

• Velegnet til SMPS-switching-trin på primærsiden
• Ideel til industrielle motordrev invertertrin
• Anvendes sammen med højspændingsbatteristyringssystemer
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af forregulatorer
• Nyttig til konvertering af lysnetforsyning til LED-belysning

Hvilket termisk område kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og dækker barske omgivelses- og høje forbindelsesforhold til krævende miljøer.

Hvilken pakke og monteringsmetode er til rådighed til kortmontering?

Den leveres i en TO-220-pakke, der er designet til montering med gennemgående huller, hvilket letter kølelegeme og nem loddemontering.

Hvordan påvirker enhedens krav til gate-drev valg af driver?

Med en typisk gate-ladning på 67 nC og en 20 V VGS-grænse skal du vælge en driver, der kan sende og sende tilstrækkelig strøm uden at overskride gate-spændingsgrænsen.

Hvilke lednings- og koblingsegenskaber påvirker effektiviteten?

Den maksimale drain-source-modstand på 60 mΩ og fremadgående spænding på 0,9 V angiver dens ledningstab og fremadgående faldegenskaber under belastning, hvilket er relevant ved beregning af systemets effektivitet.