Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS P7 Nej IPL60R365P7AUMA1
- RS-varenummer:
- 214-4400
- Producentens varenummer:
- IPL60R365P7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 89,76
(ekskl. moms)
Kr. 112,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 8,976 | Kr. 89,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4400
- Producentens varenummer:
- IPL60R365P7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 365mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 365mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon 600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 10 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R365P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 19 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R185P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 44 A 600 V HSOF-8, CoolMOS™ P7 IPT60R050G7XTMA1
- Infineon N-Kanal 33 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R075CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 14 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R185CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 17 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL60R125C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 29 A 600 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL60R065C7AUMA1
