Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 214-4387
Producentens varenummer:: IPD60R360P7ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.257,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.322,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 17. september 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,303	Kr. 8.257,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4387
Producentens varenummer:: IPD60R360P7ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	600V CoolMOS P7
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	360mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	41W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.42mm
	Længde	6.65mm
	Højde	2.35mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie 600V CoolMOS P7
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 360mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 41W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.42mm
	Længde 6.65mm
	Højde 2.35mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD60R360P7ATMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V drain source-spænding, 9 A kontinuerlig drain-strøm - IPD60R360P7ATMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og koblingsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til at håndtere høje drain-til-kilde-spændinger, samtidig med at den giver kontrolleret ledning og skifteadfærd i strømforsyninger og tilhørende kredsløb.

Egenskaber og fordele:

• 600 V maksimal drain-til-kilde-spænding muliggør højspændingsdesign
• 9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelig belastningsevne
• 360 mΩ Rds(on) begrænser ledningstab ved driftsstrømme
• 13 nC typisk gate-ladning reducerer koblingsenergi og belastning
• 20 V maks. gate-til-kilde modstår robuste drevmargener
• 41 W effekttab muliggør betydelig termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til højspændings DC-DC-konvertere
• Anvendes sammen med bro- og klemmeswitchtopologier
• Kan bruges til industrielle motordrev, frontender
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordelingsmoduler

Hvilke hensyn til emballage og montering skal jeg planlægge?

Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering

Sørg for et passende jordforbindelsesmønster og termiske kanaler, hvis der kræves varmespredning på kortniveau.

Hvordan påvirker det termiske område implementeringen?

Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, så den kan bruges i miljøer med ekstreme temperaturvariationer uden nedgradering for omgivende ekstremer inden for dette område.

Hvilke begrænsninger for portdrev gælder under layout?

Hold gate-ledninger korte for at minimere induktionen på grund af 13 nC gate-ladning og overholde den absolut grænse på ±20 V gate-til-kilde under drifts- og transientforhold.

Hvordan skal jeg vurdere strømkapacitet i mit design?

Brug 9 A kontinuerlig mærkestrøm som udgangspunkt, og kontroller den termiske modstand og køling på systemniveau for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for de angivne grænser.