Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 218-3051
- Producentens varenummer:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 107,19
(ekskl. moms)
Kr. 133,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 7,146 | Kr. 107,19 |
| 75 - 135 | Kr. 6,792 | Kr. 101,88 |
| 150 - 360 | Kr. 6,503 | Kr. 97,55 |
| 375 - 735 | Kr. 6,219 | Kr. 93,29 |
| 750 + | Kr. 5,795 | Kr. 86,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3051
- Producentens varenummer:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS™ P7 serien N-kanal effekt MOSFET. Den har ekstremt lave koblings- og ledningstab, hvilket gør switching-anvendelser endnu mere effektive, mere kompakte og meget køligere.
Betydelig reduktion af koblings- og ledningstab
Velegnet til hårde og bløde skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 26 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7