Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 114,08

(ekskl. moms)

Kr. 142,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 7,605Kr. 114,08
75 - 135Kr. 7,231Kr. 108,47
150 - 360Kr. 6,921Kr. 103,82
375 - 735Kr. 6,617Kr. 99,26
750 +Kr. 6,169Kr. 92,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3051
Producentens varenummer:
IPD60R280P7SAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Effektafsættelse maks. Pd

53W

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD60R280P7SAUMA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede effektapplikationer, hvor der kræves robust spændingshåndtering og høje driftstemperaturer. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til skifte- og strømkonverteringsopgaver, og giver kontrolleret gate-drevet ledning og understøttelse af kontinuerlige afløbsstrømme, der er typiske i industrielle miljøer og miljøer med kraftelektronik.

Egenskaber og fordele:


• 600 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingsswitching
• 12 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 280 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab under belastning
• 53 W maks. effekttab opretholder termisk margen i drift
• 18 nC typisk gate-ladning ved VGS muliggør hurtige skifteovergange
• Driftsområde fra -40 °C til 150 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til primære kontakter til switch-mode strømforsyning
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver enheder med 600 V mærkeværdi
• Kan bruges til industrielle strøm-switching-moduler
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?


Enheden må ikke overstige en gate-source-spænding på 20 V for at undgå overbelastning af porten.

Hvordan påvirker husformatet monteringen og den termiske bane?


TO-252-pakken til overflademontering giver et kompakt fodaftryk og en direkte termisk vej gennem fanen til printkøleanordninger.

Hvilken type ledningstilstand anvender den, og hvad betyder det?


Den fungerer i forbedringstilstand som en N-kanal-enhed, så den kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden for at tænde.

Hvad er den typiske gate-ladningsadfærd relevant for drevdesign?


Den typiske gate-ladning på 18 nC ved VGS angiver, at gate-driveren skal forsyne denne ladning pr. koblingshændelse, hvilket påvirker driverstørrelsen og koblingstab.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.