Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 215-2480
Producentens varenummer:: IPA60R360P7SXKSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 120,58

(ekskl. moms)

Kr. 150,72

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 6,029	Kr. 120,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2480
Producentens varenummer:: IPA60R360P7SXKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	600V CoolMOS P7
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	360mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	22W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie 600V CoolMOS P7
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 360mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 22W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPA60R360P7SXKSA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V drain source-spænding, 9 A kontinuerlig drain-strøm - IPA60R360P7SXKSA1

Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømkonverteringsroller i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er bygget til montering gennem hul i konventionelle monteringsarbejdsgange, hvilket giver en kompakt løsning til kredsløb, der kræver en robust N-kanalforbedringsenhed med en høj mærkespænding fra drain til kilde.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-tolerance muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter belastninger med mellemstor effekt
• 360 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 22 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 13 nC typisk gate-ladning sikrer effektive drevkrav
• 0.9 V fremadgående spænding minimerer diodeledningsfald

Anvendelser

• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til topologier med switch-mode-effektkonvertering
• Anvendes til hard-switching i invertertrin
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion på netsiden
• Anvendes sammen med varmeafledte enheder i strømmoduler

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?

Den leveres i en TO-220-pakke og er beregnet til montering gennem hul for at give en sikker mekanisk og termisk forbindelse.

Hvilke port- og termiske grænser skal en designer overholde?

Porten kan drives op til 20 V i forhold til kilden, og enheden skal afkøles for at håndtere op til 22 W tab inden for dens driftstemperaturområde.

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?

Den er klassificeret til drift over en lav på -55 °C op til en høj på 150 °C til en lang række termiske miljøer.

Hvilken ledningstilstand og kanaltype leveres?

Komponenten er en N-kanal-forbedringsenhed, der er velegnet til standard transistor-switching-topologier.