Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 301,20

(ekskl. moms)

Kr. 376,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 6,024Kr. 301,20
100 - 200Kr. 5,646Kr. 282,30
250 - 450Kr. 5,58Kr. 279,00
500 - 950Kr. 5,511Kr. 275,55
1000 +Kr. 5,445Kr. 272,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-2479
Producentens varenummer:
IPA60R360P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

22W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V drain source-spænding, 9 A kontinuerlig drain-strøm - IPA60R360P7SXKSA1


Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømkonverteringsroller i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er bygget til montering gennem hul i konventionelle monteringsarbejdsgange, hvilket giver en kompakt løsning til kredsløb, der kræver en robust N-kanalforbedringsenhed med en høj mærkespænding fra drain til kilde.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-tolerance muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter belastninger med mellemstor effekt
• 360 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 22 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 13 nC typisk gate-ladning sikrer effektive drevkrav
• 0.9 V fremadgående spænding minimerer diodeledningsfald

Anvendelser


• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til topologier med switch-mode-effektkonvertering
• Anvendes til hard-switching i invertertrin
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion på netsiden
• Anvendes sammen med varmeafledte enheder i strømmoduler

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?


Den leveres i en TO-220-pakke og er beregnet til montering gennem hul for at give en sikker mekanisk og termisk forbindelse.

Hvilke port- og termiske grænser skal en designer overholde?


Porten kan drives op til 20 V i forhold til kilden, og enheden skal afkøles for at håndtere op til 22 W tab inden for dens driftstemperaturområde.

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?


Den er klassificeret til drift over en lav på -55 °C op til en høj på 150 °C til en lang række termiske miljøer.

Hvilken ledningstilstand og kanaltype leveres?


Komponenten er en N-kanal-forbedringsenhed, der er velegnet til standard transistor-switching-topologier.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.