Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 219-5983
- Producentens varenummer:
- IPA60R600P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 64,70
(ekskl. moms)
Kr. 80,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,47 | Kr. 64,70 |
| 50 - 90 | Kr. 6,156 | Kr. 61,56 |
| 100 - 240 | Kr. 5,887 | Kr. 58,87 |
| 250 - 490 | Kr. 5,625 | Kr. 56,25 |
| 500 + | Kr. 5,243 | Kr. 52,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-5983
- Producentens varenummer:
- IPA60R600P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMO P7 optimerede superjunction MOSFET'er, der kombinerer høj energieffektivitet med brugervenlighed, er efterfølgeren til 600V CoolMOS P6 serien. Den balancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste RonxA i sin klasse og den naturligt lave gate Charge (QG) fra CoolMOS 7. Generations platform sikrer høj effektivitet.
MOSFET er velegnet til både hårde og resonante switching-topologier som f.eks. PFC og LLC
Fremragende robusthed under hård forvandling af body-dioden set i LLC-topologi
Velegnet til en bred vifte af anvendelser og udgangseffekt
Dele, der kan leveres, er velegnede til forbruger- og industrielle anvendelser
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 78 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 57.2 A 650 V Forbedring CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 386 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 206 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
