Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 218-3016
- Producentens varenummer:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 45 enheder)*
Kr. 398,25
(ekskl. moms)
Kr. 497,70
(inkl. moms)
Tilføj 90 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 45 - 45 | Kr. 8,85 | Kr. 398,25 |
| 90 - 180 | Kr. 8,408 | Kr. 378,36 |
| 225 - 405 | Kr. 8,055 | Kr. 362,48 |
| 450 - 1080 | Kr. 7,699 | Kr. 346,46 |
| 1125 + | Kr. 7,169 | Kr. 322,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3016
- Producentens varenummer:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform N | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS™ P7 serien N-kanal effekt MOSFET. Den har ekstremt lave koblings- og ledningstab, hvilket gør switching-anvendelser endnu mere effektive, mere kompakte og meget køligere. CoolMOS™ 7. Generation platformen er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies.
Velegnet til hård og blød kobling (PFC og LLC) på grund af en enestående robusthed i forbindelse med kommutation
Betydelig reduktion af koblings- og ledningstab
Fremragende ESD robusthed >2 kV (HBM) for alle produkter
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7