Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 386 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 219-6018
- Producentens varenummer:
- IPW60R024P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.661,94
(ekskl. moms)
Kr. 2.077,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 55,398 | Kr. 1.661,94 |
| 60 - 60 | Kr. 52,627 | Kr. 1.578,81 |
| 90 + | Kr. 49,304 | Kr. 1.479,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6018
- Producentens varenummer:
- IPW60R024P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 386A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 164nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 291W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5.21mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 386A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 164nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 291W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5.21mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 superjunction MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS P6 serien. Den balancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste RonxA i sin klasse og den naturligt lave gate Charge (QG) fra CoolMOS 7. Generations platform sikrer høj effektivitet.
600V P7 aktiverer fremragende FOM RDS(on) xEoss og RDS(on) xQG
Integreret gate-modstand RG
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Både standarddele og dele i industrikvalitet kan leveres
Integreret RG reducerer følsomhed for MOSFET-svingninger
MOSFET er velegnet til både hårde og resonante switching-topologier som f.eks. PFC og LLC
Fremragende robusthed under hård forvandling af body-dioden set i LLC-topologi
Velegnet til en bred vifte af anvendelser og udgangseffekt
Dele, der kan leveres, er velegnede til forbruger- og industrielle anvendelser
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 386 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 206 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7