Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 218-3050
Producentens varenummer:: IPD60R280P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.080,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.100,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 01. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,232	Kr. 8.080,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-3050
Producentens varenummer:: IPD60R280P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	600V CoolMOS P7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	280mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	18nC
	Effektafsættelse maks. Pd	53W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.22mm
	Højde	2.41mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-252
	Serie 600V CoolMOS P7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 280mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC
	Effektafsættelse maks. Pd 53W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Min. driftstemperatur -40°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.22mm
	Højde 2.41mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD60R280P7SAUMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD60R280P7SAUMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede effektapplikationer, hvor der kræves robust spændingshåndtering og høje driftstemperaturer. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til skifte- og strømkonverteringsopgaver, og giver kontrolleret gate-drevet ledning og understøttelse af kontinuerlige afløbsstrømme, der er typiske i industrielle miljøer og miljøer med kraftelektronik.

Egenskaber og fordele:

• 600 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingsswitching
• 12 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 280 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab under belastning
• 53 W maks. effekttab opretholder termisk margen i drift
• 18 nC typisk gate-ladning ved VGS muliggør hurtige skifteovergange
• Driftsområde fra -40 °C til 150 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til primære kontakter til switch-mode strømforsyning
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver enheder med 600 V mærkeværdi
• Kan bruges til industrielle strøm-switching-moduler
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?

Enheden må ikke overstige en gate-source-spænding på 20 V for at undgå overbelastning af porten.

Hvordan påvirker husformatet monteringen og den termiske bane?

TO-252-pakken til overflademontering giver et kompakt fodaftryk og en direkte termisk vej gennem fanen til printkøleanordninger.

Hvilken type ledningstilstand anvender den, og hvad betyder det?

Den fungerer i forbedringstilstand som en N-kanal-enhed, så den kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden for at tænde.

Hvad er den typiske gate-ladningsadfærd relevant for drevdesign?

Den typiske gate-ladning på 18 nC ved VGS angiver, at gate-driveren skal forsyne denne ladning pr. koblingshændelse, hvilket påvirker driverstørrelsen og koblingstab.