Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 75 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 423,675

(ekskl. moms)

Kr. 529,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 11.460 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
75 - 135Kr. 5,649
150 - 360Kr. 5,401
375 - 735Kr. 5,174
750 +Kr. 4,815

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4381P
Producentens varenummer:
IPD530N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21