Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 240 A 55 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4453P
- Producentens varenummer:
- IRF3805STRL-7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 515,00
(ekskl. moms)
Kr. 643,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 20,60 |
| 50 - 120 | Kr. 19,196 |
| 125 - 245 | Kr. 18,026 |
| 250 + | Kr. 16,622 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4453P
- Producentens varenummer:
- IRF3805STRL-7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 240A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 240A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner for dette design er en 175 °C junction-driftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret mærkeværdi for Repetitive Avalanche.
Det er blyfrit