Infineon N-Kanal, MOSFET, 15 A 75 V Forbedring, 6 Ben, MG-WDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-8982
- Producentens varenummer:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 145,04
(ekskl. moms)
Kr. 181,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.805 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 9,669 | Kr. 145,04 |
| 75 - 135 | Kr. 9,185 | Kr. 137,78 |
| 150 - 360 | Kr. 8,996 | Kr. 134,94 |
| 375 - 735 | Kr. 8,413 | Kr. 126,20 |
| 750 + | Kr. 7,834 | Kr. 117,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8982
- Producentens varenummer:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | MG-WDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype MG-WDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.2nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 6.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af 75 V OptiMOS teknologi har specialiseret sig i synkron ensretning. Disse 75 V-produkter er baseret på den førende 80 V-teknologi og har samtidig de laveste modstande i tilstanden og overlegen skifteevne. Det kræver et minimalt pladsforbrug på kortet. Verdens laveste R DS(on) med øget effektivitet, og den er miljøvenlig.
Lav parasitisk induktans
100 % avalanche-testet
Den består af tosidet køling
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15 A 75 V Forbedring MG-WDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 50 A 80 V Forbedring MG-WDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring WDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101