Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5971
Producentens varenummer:: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*

Kr. 12.140,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.175,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 4,856	Kr. 12.140,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5971
Producentens varenummer:: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	30A
	Drain source spænding maks. Vds	75V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	26mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	56nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd	136W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	6.22mm
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	2.41mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A
	Drain source spænding maks. Vds 75V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 26mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd 136W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 6.22mm
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 2.41mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 75 V maksimal drain source-spænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD30N08S2L21ATMA1

Denne MOSFET er en effektomskiftertransistor, der er designet til krævende elektroniske systemer, der giver kontrolleret ledning mellem drain og kilde i N-kanals forstærkningstilstandskonfigurationer. Den er beregnet til overflademontering i kompakte strømkonstruktioner og til brug, hvor der kræves høje driftstemperaturer og certificering i bilkvalitet.

Egenskaber og fordele:

• 75 V afløbsspænding muliggør robust højspændingsswitching
• 30 A kontinuerlig strøm, der understøtter betydelig belastningsforsyning
• 26 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 136 W tabskapacitet, der hjælper med termisk margen i design
• 56 nC typisk portladning, der forbedrer omskiftningshastighedsstyringen
• ±20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible gate-driver-skemaer

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-konvertertrin til biler
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev inverter-front-end-kredsløb
• Kan bruges til højeffektive belastningspunktomformere
• Velegnet til strømstyring på kortniveau i køretøjer

Hvilken type emballage skal designere forvente for printkortlayout?

Enheden leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket påvirker jord-mønster- og termisk-pad-design.

Hvordan håndterer enheden ekstreme omgivelsesforhold?

Den er normeret til at fungere over et bredt temperaturområde fra -55 °C op til 175 °C for at passe til miljøer med høje temperaturer.

Hvilke hensyn til gate-driver kræves der til styringskredsløb?

Den maksimale gate-source-klassificering er ±20 V

gate-drive-kredsløb bør begrænse udsving inden for dette område og tage hensyn til den typiske 56 nC gate-ladning ved dimensionering af drivere.

Er der specifikke termiske ydeevnebegrænsninger at planlægge for?

Med en maksimal effekttab på 136 W skal termisk styring tage hensyn til ledningsveje og varmeafledning på kortniveau for at opretholde forbindelsesgrænserne.