Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.602,50

(ekskl. moms)

Kr. 14.502,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,641Kr. 11.602,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4375
Producentens varenummer:
IPD50N06S2L13ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.35mm

Længde

6.65mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET giver høj strømkapacitet og laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet. Det er 100% lavine testet.

Optimeret samlet gate-opladning muliggør mindre driveroutputfaser

Relaterede links