Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-4377
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 61,99
(ekskl. moms)
Kr. 77,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 12.370 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 6,199 | Kr. 61,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4377
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.65mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Bredde | 6.42mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.65mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Bredde 6.42mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET giver høj strømkapacitet og laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet. Det er 100% lavine testet.
Optimeret samlet gate-opladning muliggør mindre driveroutputfaser
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101