Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 61,99

(ekskl. moms)

Kr. 77,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 12.390 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 6,199Kr. 61,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4377
Producentens varenummer:
IPD50N06S2L13ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Højde

2.35mm

Bredde

6.42 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET giver høj strømkapacitet og laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet. Det er 100% lavine testet.

Optimeret samlet gate-opladning muliggør mindre driveroutputfaser

Relaterede links