Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4666
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 130,01
(ekskl. moms)
Kr. 162,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 11.610 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,667 | Kr. 130,01 |
| 75 - 135 | Kr. 8,228 | Kr. 123,42 |
| 150 - 360 | Kr. 7,889 | Kr. 118,34 |
| 375 - 735 | Kr. 7,54 | Kr. 113,10 |
| 750 + | Kr. 7,021 | Kr. 105,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4666
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD50N06S4L08ATMA2
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling med høj strøm under krævende driftsforhold. Den er beregnet til anvendelser, der kræver robust ledning, moderat spændingshåndtering og drift over et bredt temperaturområde, der er typisk for biler og industrielle miljøer.
Egenskaber og fordele:
• Lav ledningsmodstand på 7,8 mΩ for reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig strømkapacitet på 50 A til omskiftning under kraftig belastning
• 60 V drain-source mærkeværdi for midspændingssystemkompatibilitet
• 71 W maks. effekttab for øget termisk håndtering
• Typisk gate-ladning 49 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• Gate-source spændingstolerance op til 16 V for fleksible drevniveauer
• Høj kontinuerlig strømkapacitet på 50 A til omskiftning under kraftig belastning
• 60 V drain-source mærkeværdi for midspændingssystemkompatibilitet
• 71 W maks. effekttab for øget termisk håndtering
• Typisk gate-ladning 49 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• Gate-source spændingstolerance op til 16 V for fleksible drevniveauer
Anvendelser
• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til DC/DC-omformere i transportsystemer
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Kan bruges til batteristyring og strømstyring
• Anvendes til kobling med høj effekt på overflademonterede enheder
• Ideel til DC/DC-omformere i transportsystemer
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Kan bruges til batteristyring og strømstyring
• Anvendes til kobling med høj effekt på overflademonterede enheder
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den understøtter kontinuerlig drift fra -55 °C op til 175 °C.
Hvilken pakke og monteringstype bruger den?
Komponenten leveres i en TO-252-pakke til overflademontering.
Hvor mange elektriske forbindelser giver den?
Den tilbyder tre ben til gate-, drain- og kildetilslutninger.
Hvad er fremadgående spænding under ledning?
Enheden har en fremadgående spænding på 1,3 V under ledning.
Hvilket kvalifikationsniveau for biler opfylder den?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-specifikationen for bilkvalitet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
