Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101 IPD15N06S2L64ATMA2
- RS-varenummer:
- 214-9033
- Producentens varenummer:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 79,66
(ekskl. moms)
Kr. 99,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 16.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 3,983 | Kr. 79,66 |
| 100 - 180 | Kr. 3,104 | Kr. 62,08 |
| 200 - 480 | Kr. 2,91 | Kr. 58,20 |
| 500 - 980 | Kr. 2,704 | Kr. 54,08 |
| 1000 + | Kr. 2,514 | Kr. 50,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9033
- Producentens varenummer:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 64mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 47W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 64mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 47W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere. Disse er robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.
Det er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 A 55 V TO-252, OptiMOS™ IPD15N06S2L64ATMA2
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V TO-252, OptiMOS™ IPD30N06S215ATMA2
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V TO-252, OptiMOS™ IPD30N06S223ATMA2
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V TO-252, OptiMOS™ IPD14N06S280ATMA2
- Infineon N-Kanal 50 A 55 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ IPD30N06S2L13ATMA4
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V TO-252, OptiMOS™ IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V TO-252, OptiMOS™ IPD60N10S4L12ATMA1
