Infineon N-Kanal, MOSFET, 68 A 60 V, 9 ben, DirectFET isometrisk, HEXFET AUIRF7648M2TR

Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET har 60 V maksimal dræningskildespænding med 68 A maksimal kontinuerlig strømudtømning i et DirectFET M4 hus. AUIRF7648M2 kombinerer den nyeste HEXFET ® Power MOSFET Silicon-teknologi til brug i biler med den Advanced DirectFET ® -emballage for at opnå lav gate-opladning samt den laveste ON-state-modstand i en pakke, der har bundareal fra en SO-8 og kun 0,7 mm profil. DirectFET ® -pakken er kompatibel med eksisterende geometrier til layout, der anvendes til effektanvendelser, PCB-monteringsudstyr og dampfase, infrarød eller konvektionslodningsteknikker, når anvendelsesbemærkning AN-1035 følges vedrørende fremstillingsmetoder og processer. DirectFET ® -pakken giver mulighed for dobbeltsidet køling for at maksimere termisk overførsel i bilkraftsystemer.

Avanceret procesteknologi
Optimeret til bilmotordrev, DC-DC og andre tunge anvendelser
Lav RDS(on) for forbedret effektivitet
Gentagen Avalanche-funktionalitet for robusthed og pålidelighed
Blyfri, RoHS- og halogenfri