Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Forbedring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET Nej AUIRF7648M2TR
- RS-varenummer:
- 215-2450
- Producentens varenummer:
- AUIRF7648M2TR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 136,83
(ekskl. moms)
Kr. 171,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 270 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 27,366 | Kr. 136,83 |
| 25 - 45 | Kr. 24,624 | Kr. 123,12 |
| 50 - 120 | Kr. 22,964 | Kr. 114,82 |
| 125 - 245 | Kr. 21,348 | Kr. 106,74 |
| 250 + | Kr. 19,972 | Kr. 99,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2450
- Producentens varenummer:
- AUIRF7648M2TR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 68A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 68A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET har 60 V maksimal dræningskildespænding med 68 A maksimal kontinuerlig strømudtømning i et DirectFET M4 hus. AUIRF7648M2 kombinerer den nyeste HEXFET ® Power MOSFET Silicon-teknologi til brug i biler med den Advanced DirectFET ® -emballage for at opnå lav gate-opladning samt den laveste ON-state-modstand i en pakke, der har bundareal fra en SO-8 og kun 0,7 mm profil. DirectFET ® -pakken er kompatibel med eksisterende geometrier til layout, der anvendes til effektanvendelser, PCB-monteringsudstyr og dampfase, infrarød eller konvektionslodningsteknikker, når anvendelsesbemærkning AN-1035 følges vedrørende fremstillingsmetoder og processer. DirectFET ® -pakken giver mulighed for dobbeltsidet køling for at maksimere termisk overførsel i bilkraftsystemer.
Avanceret procesteknologi
Optimeret til bilmotordrev, DC-DC og andre tunge anvendelser
Lav RDS(on) for forbedret effektivitet
Gentagen Avalanche-funktionalitet for robusthed og pålidelighed
Blyfri, RoHS- og halogenfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 68 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej AUIRF7640S2TR
- Infineon Type N-Kanal 112 A 40 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 112 A 40 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101 AUIRL7736M2TR
- Infineon Type N-Kanal 150 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 81 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET Nej