Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Forbedring, 15 Ben, DirectFET Nej
- RS-varenummer:
- 165-8086
- Producentens varenummer:
- IRF7749L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 53.480,00
(ekskl. moms)
Kr. 66.840,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 13,37 | Kr. 53.480,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8086
- Producentens varenummer:
- IRF7749L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 375A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 15 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.49mm | |
| Bredde | 7.1 mm | |
| Længde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 375A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 15 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.49mm | ||
Bredde 7.1 mm | ||
Længde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
DirectFET® effektkapsling er en overflademonteret power MOSFET kapslingsteknologi. DirectFET® MOSFET'er er en løsning til at reducere energitab, mens det designede areal krympes, til anvendelser i avancerede switching-opgaver.
Branchens laveste modstand ved tændt med de respektive bundarealer
Ekstremt lavt husmodstand for at minimere ledningstab
Meget effektiv dobbeltsidet køling forbedrer effekttæthed, omkostninger og pålidelighed betydeligt
Lav profil på kun 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 375 A 60 V DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 60 V DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF
- Infineon N-Kanal 68 A 60 V DirectFET isometrisk, HEXFET AUIRF7648M2TR
- Infineon N-Kanal 21 A 60 V DirectFET isometrisk, HEXFET AUIRF7640S2TR
- Infineon N-Kanal 112 A 40 V HEXFET AUIRL7736M2TR
- Infineon N-Kanal 150 A 20 V HEXFET IRF6620TRPBF
- Infineon N-Kanal 81 A 20 V HEXFET IRF6636TRPBF
- Infineon N-Kanal 28 A 150 V HEXFET IRF6775MTRPBF
