Infineon N-Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Forbedring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-8086
- Producentens varenummer:
- IRF7749L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 75.836,00
(ekskl. moms)
Kr. 94.796,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 18,959 | Kr. 75.836,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8086
- Producentens varenummer:
- IRF7749L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 375A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 15 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 7.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 9.15mm | |
| Højde | 0.49mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 375A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 15 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 7.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 9.15mm | ||
Højde 0.49mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
DirectFET® effektkapsling er en overflademonteret power MOSFET kapslingsteknologi. DirectFET® MOSFET'er er en løsning til at reducere energitab, mens det designede areal krympes, til anvendelser i avancerede switching-opgaver.
Branchens laveste modstand ved tændt med de respektive bundarealer
Ekstremt lavt husmodstand for at minimere ledningstab
Meget effektiv dobbeltsidet køling forbedrer effekttæthed, omkostninger og pålidelighed betydeligt
Lav profil på kun 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 68 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon N-Kanal 86 A 60 V Forbedring MN HEXFET
- Infineon N-Kanal 55 A 80 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon N-Kanal 19 A 200 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET