Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Forbedring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*

Kr. 25.200,00

(ekskl. moms)

Kr. 31.488,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4800 +Kr. 5,25Kr. 25.200,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4736
Producentens varenummer:
IRF6620TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

HEXFET

Emballagetype

DirectFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Længde

6.35mm

Højde

0.68mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.05 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET Silicon-teknologi med Advanced Direct FETTM-emballage for at opnå den laveste modstand i en pakke, der har bundareal på EN SO-8- og kun 0,7 mm-profil. DirectFET-pakken er kompatibel med eksisterende layoutgeometrier, der anvendes til effektanvendelser, PCB-monteringsudstyr og dampfase, infrarød eller konvektionslodningsteknikker, når anvendelsesbemærkning AN-1035 følges vedrørende fremstillingsmetoder og processer.

100 % RG-testet lavt konduktion og skiftetab

Ultralav husinduktans, ideel til CPU Core DC-DC-konvertere

Relaterede links