Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET Nej

Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*

Kr. 25.560,00

(ekskl. moms)

Kr. 31.948,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4800 +Kr. 5,325Kr. 25.560,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3101
Producentens varenummer:
IRF6775MTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

DirectFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Højde

0.68mm

Længde

4.85mm

Bredde

3.95 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 150 V enkelt N-kanal HEXFET effekt MOSFET. Denne digitale Audio MOSFET er specielt designet til Class-D lydforstærker. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Den lavere selvinduktion forbedrer EMI-ydeevnen ved at reducere den spændingstringing, der følger med hurtige strømtransienter.

Den nyeste MOSFET Silicon-teknologi

Dobbeltsidet køling kompatibel

Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknologier

Blyfri

Relaterede links