Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,51

(ekskl. moms)

Kr. 89,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.380 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,151Kr. 71,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3102
Producentens varenummer:
IRF6775MTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

DirectFET

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.85mm

Højde

0.68mm

Bredde

3.95 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 150 V enkelt N-kanal HEXFET effekt MOSFET. Denne digitale Audio MOSFET er specielt designet til Class-D lydforstærker. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Den lavere selvinduktion forbedrer EMI-ydeevnen ved at reducere den spændingstringing, der følger med hurtige strømtransienter.

Den nyeste MOSFET Silicon-teknologi

Dobbeltsidet køling kompatibel

Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknologier

Blyfri

Relaterede links