Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3102
- Producentens varenummer:
- IRF6775MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 71,51
(ekskl. moms)
Kr. 89,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 7,151 | Kr. 71,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3102
- Producentens varenummer:
- IRF6775MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 2 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Højde | 0.68mm | |
| Længde | 4.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 2 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Højde 0.68mm | ||
Længde 4.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 150 V enkelt N-kanal HEXFET effekt MOSFET. Denne digitale Audio MOSFET er specielt designet til Class-D lydforstærker. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Den lavere selvinduktion forbedrer EMI-ydeevnen ved at reducere den spændingstringing, der følger med hurtige strømtransienter.
Den nyeste MOSFET Silicon-teknologi
Dobbeltsidet køling kompatibel
Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknologier
Blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 67 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET