Infineon N-Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*

Kr. 71,51

(ekskl. moms)

Kr. 89,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.270 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,151Kr. 71,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3102
Producentens varenummer:
IRF6775MTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

DirectFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.95mm

Højde

680μm

Længde

4.85mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 150 V enkelt N-kanal HEXFET effekt MOSFET. Denne digitale Audio MOSFET er specielt designet til Class-D lydforstærker. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Den lavere selvinduktion forbedrer EMI-ydeevnen ved at reducere den spændingstringing, der følger med hurtige strømtransienter.

Den nyeste MOSFET Silicon-teknologi

Dobbeltsidet køling kompatibel

Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknologier

Blyfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.