Infineon N-Kanal, MOSFET, 98 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 127,62

(ekskl. moms)

Kr. 159,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,381Kr. 127,62
100 - 180Kr. 4,982Kr. 99,64
200 - 480Kr. 4,66Kr. 93,20
500 - 980Kr. 4,339Kr. 86,78
1000 +Kr. 4,017Kr. 80,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2457
Producentens varenummer:
BSC032N04LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

98A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SuperSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 98 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC032N04LSATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling og konvertering i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og betydelig kontinuerlig strømhåndtering i en kompakt SuperSO-pakke.

Egenskaber og fordele:


• Meget lav modstand ved tænding på 4,4 mΩ for reducerede ledningstab
• 98 A kontinuerlig aftapningskapacitet til kraftige strømbelastninger
• 40 V mærkeværdi fra drain til kilde til mellemspændingstrin
• 52 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• Typisk gate-ladning 25 nC, der muliggør effektivt gate-drev
• Fungerer fra -55 °C til 175 °C for udvidet temperaturtolerance

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i strømstyring
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver overflademonterede dele
• Kan bruges til telekommunikation og serverstrømfordeling
• Velegnet til batteridrevne systemer, der har brug for lav Vf-switching

Hvilke hensyn til gate-driver kræves der for effektiv omskiftning?


Drive-kredsløb skal levere tilstrækkelig spidsstrøm til hurtigt at oplade 25 nC-porten, mens du styrer skifteafbrydelsen for at balancere skiftetab og EMI.

Hvordan skal termisk styring tilgås på printkortet?


Brug flerlags kobberplaner og termiske ledninger under SuperSO-fodaftrykket til at sprede 52 W tab og lavere termisk modstand fra samling til kort.

Hvilke elektriske belastninger skal enheden modstå under transienter?


Enheden er mærket til 40 V Vds stabil tilstand

transientbeskyttelse som f.eks. snubbers eller undertrykkelse af transient spænding bør anvendes for at begrænse overskridelse af spænding ud over dette niveau.

Er der specifikke layoutpraksisser for at minimere ledningstab?


Pladsbrede, korte kobberspor til drain- og kildetilslutninger og minimere sløjfeinduktans mellem enheden og dens portdrev for at bevare den lave 4,4 mΩ fordel.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.