Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 215-2464
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 16.595,00
(ekskl. moms)
Kr. 20.745,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,319 | Kr. 16.595,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2464
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS™ 5 effekt MOSFET'er logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhedernes lave gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab. De forbedrede tal for fortjeneste gør det muligt at arbejde ved høje skiftefrekvenser. Desuden leverer logikniveaudrevet en lav gate-tærskelspænding (V GS(The)), der gør det muligt at drive MOSFET'erne ved 5 V og direkte fra mikrokontrollere.
Lav R DS (til) i lille hus
Lav portopladning
Lavere udgangsladning
Kompatibilitet med logikniveau
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 47 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 234 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC016N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 288 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ ISC011N06LM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 135 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0702NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 57 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0703NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 240 A 60 V SuperSO8 5 x 6 DSC, OptiMOS™ BSC014N06NSSCATMA1
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC098N10NS5ATMA1
