Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 215-2464
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 16.595,00
(ekskl. moms)
Kr. 20.745,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,319 | Kr. 16.595,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2464
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS™ 5 effekt MOSFET'er logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhedernes lave gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab. De forbedrede tal for fortjeneste gør det muligt at arbejde ved høje skiftefrekvenser. Desuden leverer logikniveaudrevet en lav gate-tærskelspænding (V GS(The)), der gør det muligt at drive MOSFET'erne ved 5 V og direkte fra mikrokontrollere.
Lav R DS (til) i lille hus
Lav portopladning
Lavere udgangsladning
Kompatibilitet med logikniveau
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 47 A 60 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS Nej BSC016N06NSTATMA1
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS Nej BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 81 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej
