Infineon 2 N-Kanal N-kanal MOSFET, MOSFET, 50 A 25 V Forbedring, 8 Ben, Strømforsyningsblok 5x6, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 215-2467P
- Producentens varenummer:
- BSG0811NDATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 99,82
(ekskl. moms)
Kr. 124,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 8.370 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 9,982 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2467P
- Producentens varenummer:
- BSG0811NDATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | Strømforsyningsblok 5x6 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 4.5V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.84V | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal MOSFET | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Længde | 5.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype Strømforsyningsblok 5x6 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 4.5V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.84V | ||
Transistorkonfiguration N-kanal MOSFET | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Længde 5.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™ 5 Power Block er et blyfrit SMD-hus i et 5,0 x 6,0 mm² hus, herunder en lav side og en høj side MOSFET i en synkron buck-konverter konfiguration. Ved at erstatte to separate pakker, f.eks. SO8 eller SuperSO8, med OptiMOS™ 5 Power Block, kan kunderne reducere deres design med op til 85 %. Standardisering af strømpakker gavner kunden, da antallet af forskellige pakkeløsninger på markedet er minimeret.
50 A maks. gennemsnitlig belastningsstrøm
Kilde-down lav side MOSFET for bedre afkøling af printkort
Internt tilsluttet lav side og høj side (laveste sløjfeinduktans)
Kelvin-forbindelse på den høje side giver mere effektiv kørsel