Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 921,45

(ekskl. moms)

Kr. 1.151,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 18,429Kr. 921,45
100 - 200Kr. 16,586Kr. 829,30
250 +Kr. 15,665Kr. 783,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-2481
Producentens varenummer:
IPA65R125C7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineons Cool MOS™ C7 super junction MOSFET-serie er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.

Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solceller inverteranvendelser

Laveste ledningstab/pakke

Lave koblingstab

Bedre effektivitet ved let belastning

Forøgelse af effekttæthed

Relaterede links