Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 215-2481
- Producentens varenummer:
- IPA65R125C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 821,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.026,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 300 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 16,426 | Kr. 821,30 |
| 100 - 200 | Kr. 14,783 | Kr. 739,15 |
| 250 + | Kr. 13,961 | Kr. 698,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2481
- Producentens varenummer:
- IPA65R125C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons Cool MOS™ C7 super junction MOSFET-serie er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solceller inverteranvendelser
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Forøgelse af effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 8 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7