Infineon N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 214-9095
- Producentens varenummer:
- IPP60R180C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 127,91
(ekskl. moms)
Kr. 159,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 270 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 25,582 | Kr. 127,91 |
| 25 - 45 | Kr. 19,448 | Kr. 97,24 |
| 50 - 120 | Kr. 18,192 | Kr. 90,96 |
| 125 - 245 | Kr. 16,86 | Kr. 84,30 |
| 250 + | Kr. 15,544 | Kr. 77,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9095
- Producentens varenummer:
- IPP60R180C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS-serien er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7-serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Disse er velegnede til hårde og bløde skift. Velegnet til anvendelser som f.eks. server, telekommunikation og solenergi.
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC
Velegnet til hårde og bløde skift
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 8 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7